兰州天星盛世科技有限公司
首页 | 联系方式 | 加入收藏 | 设为首页 | 手机站
产品目录
联系方式

联系人:业务部
电话:0931-1364138427
邮箱:service@opensun-os.com

当前位置:首页 >> 新闻中心 >> 正文

富士通半导体推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM

编辑:兰州天星盛世科技有限公司  字号:
摘要:富士通半导体推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM
 
7月19日,富士通半导体(上海)有限公司宣布推出基于0.18µm技术的全新SPI FRAM产品家族,包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号,并从即日起开始为客户提供样片。
         
                                                   
FRAM(Ferroelectric Random Access Memory铁电随机存储器)将SRAM的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3个型号:MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A,分别代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三个密度级。3个芯片的工作电压范围在3.0~3.6V,读写周期为100亿次,数据保存在55°C的条件下可达10年,且其工作频率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM产品在写处理时无需电压增压器,非常适合低功率应用。该产品提供具有标准存储器引脚配置的8引脚封装,完全兼容E2PROM芯片。
     

FRAM独立存储芯片可广泛用于计量、工厂自动化应用以及需要数据采集、高速写入和耐久性的行业。对客户来说,FRAM不仅可以取代所有使用电池支持的解决方案,同时也是一款绿色环保的产品。除SPI FRAM家族之外,富士通半导体还提供带I²C和并行口的FRAM独立芯片,密度级从16Kbit到4Mbit不等。此外,富士通还计划进一步扩展FRAM组合以满足市场需求。凭借领先的技术开发和完善的制造工艺,富士通半导体不断优化产品设计,并加强与工厂间的密切合作,为向市场稳定地提供高质量产品打下了基础。
上一条:中国电子行业2011年2季报总结:产能利用率有所下降 下一条:银河期货济南营业部:12月5日金属期货日评